.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/31 19:45:10
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大
.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
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.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大
.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
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