增大MOSFET栅极电阻能消除高频振荡的原因

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/05 19:55:21

增大MOSFET栅极电阻能消除高频振荡的原因

mosfet当中的高频振荡原因是,由mosfet的结电容和栅极回路中的寄生电感共同作用产生的,也就是说mosfet在开通关断时,mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作,而充电、放电电流都要流过mosfet的栅极回路,如果在栅极回路里存在寄生电感,就会产生L*di/dt一个电压尖峰,可见电流变化速度直接会影响电压尖峰的大小,如果增加栅极电阻,充电、放电电流相应会减小,结电容容量不变的情况下,充电时间会变长,上面公式里的dt会变大,所以L*di/dt就会相应减小.也就消除了高频振荡.

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